Telefoanele mobile au făcut salturi tehnologice uriașe în ultimul deceniu. Chiar și acum, smartphone-urile vin cu schimbări de la o generație la alta, însă aceste îmbunătățiri sunt din ce în ce mai minore, deoarece specificațiile au ajuns destul de departe.
Producătorii fac tot posibilul să îți ofere o cameră foto mai performantă și un ecran mai calitativ, însă nu fac prea multe progrese când vine vorba de baterie. Tehnologia acestora este încă limitată și nu ține întru totul pasul cu restul progreselor, însă lucrurile s-ar putea schimba în viitorul mai mult sau mai puțin apropiat.
Veștile bune vin de la IBM și Samsung, care au colaborat pentru a crea un nou design pentru procesoare. Astfel, tranzistorii ar putea fi așezați vertical, unii peste alții, pe suprafața cipului, înlocuind tradiționala așezare orizontală, într-un singur strat.
Designul VTFET – Vertical Transport Field Effect Transistors, ar urma să fie succesorul tehnologiei actuale, FinFET. Aceasta din urmă este deja folosită pentru realizarea celor mai performante cipuri.
Noua tehnologie, însă, ar putea duce la realizarea unor cipuri cu mult mai mulți tranzistori instalați pe acestea. Așezarea verticală ar permite curentului să călătorească în sus și în jos, în loc să urmărească traseul clasic, dintr-o parte în alta.
Designul vertical pentru semiconductori nu este o noutate întru totul, iar planurile de viitor ale Intel arată că și această companie va merge în direcția ”în sus.”
Această companie, însă, vrea să suprapună componentele cipului și nu tranzistorii individuali. La urma urmei, aceasta este singura variantă posibilă de progres, în afară de micșorarea tehnologiei tranzistorilor, care nici ea nu poate funcționa prea mult de acum încolo.
Va mai dura până când tehnologia va fi integrată în telefoanele pe care le folosim zi de zi, însă companiile fac afirmații destul de îndrăznețe. Conform Samsung și IBM, cipurile VTFET ar putea oferi ”o dublare a îmbunătățirii performanței și o reducere cu 85% a consumului de energie”, în comparație cu designurile FinFET.
Cele două companii sugerează și anumite situații de folosire foarte ambițioase pentru această nouă tehnologie. Astfel, ”bateria telefonului ar putea rezista până la o săptămână până să aibă nevoie de încărcare, și nu doar o zi sau două.” De asemenea, activitățile de minerit criptomonede, criptarea datelor, dispozitivele IoT și chiar navele spațiale ar putea beneficia de aceste progrese tehnologice, notează theverge.com.
IBM a dezvăluit anterior primul său cip pe procesul de fabricație de 2 nm, care abordează problema tranzistorilor într-un nou mod, reușind astfel să adauge mai multe componente de acest fel, chiar pe un design actual FinFET.
VTFET, însă, ar urma să ducă lucrurile mai departe, însă va mai trece ceva timp până când aceste cipuri vor fi disponibile pentru produse uzuale.